振镜简单来讲是用在激光行业的一种扫描振镜，其专业名词叫做高速扫描振镜Galvo scanning system。
我公司生产的激光打标机振镜通过在硅片上或其他光学镜片上镀制高反射膜层，可实现特定波长激光以设计角度反射，反射率可以99.5%以上。
我们的优势
1、具有反射镜级硅制基材
2、热学稳定性优于熔化硅基材
3、具有符合OEM规格的几何结构
4、具有高反射涂层
激光振镜扫描系统
激光振镜扫描系统包括激光发射装置、振镜系统、控制系统、PC端、投影屏幕五大部分。激光发射装置主要是产生激光并向外发射激光束；振镜系统是由振镜电机和双振镜组构成，其中扫描电机是该系统的执行机构，带有反射镜片的振镜固定在振镜电机轴上。双振镜组是指固定在振镜电机轴上的反射镜片，分别为X、Y轴，X轴上的镜片负责进行扫描，Y轴上的镜片负责扫描；控制系统包括控制和驱动两部分，控制部分负责控制振镜的偏转角度等，驱动电路是一个位置随动控制系统，主要负责实现接受PC端对振镜电机的控制命令并进行相应的指令操作；投影屏幕是激光最终到达的工作平面区域。激光扫描目前被应用到诸如激光加工、图像传输、医疗等领域。
振镜扫描式打标头主要由XY扫描镜、场镜、振镜及控制器等构成。
振镜扫描是将激光发射装置产生的激光束先入射到X轴振镜上，经反射后再入射到Y轴振镜上，经过Y轴振镜的二次反射即可投射到工作平面，形成扫描点。然后通过振镜电机带动X、Y两个扫描头组成的光束偏转器的偏转，来实现激光束在预定扫描范围内的移动，使具有一定功率密度的激光聚焦点在打标材料上留下永久的标记，即完成图像的扫描。每个光束偏转器上都有一个特制的反射镜片（镀上不同的光膜就可以反射不同波长的激光），两个镜片的不同偏转方式就可以使激光扫描出不同的图形，从而打印不同的模型。
振镜扫描式打标因其应用范围广，可进行矢量打标和点阵打标，标记范围可调，而且具有响应速度快、打标速度高（每秒钟可打标几百个字符）、打标质量较高、光路密封性能好、对环境适应性强等优势已成为主流产品，并被认为代表了未来激光打标的发展方向，具有广阔的应用前景。
基底：
石英、硅、玻璃
光斑直径：
3mm,5mm,7mm,8mm,8.5mm,10mm,12mm,14mm,15mm,16mm,18mm,20mm,30mm,35mm,50mm,70mm,80mm
波长：
10.6μm,1064nm,1550nm,532nm,355nm,266nm
膜系
金属反射膜(金膜、银膜）、介质反射膜
镀金扫描镜
a.常用于二氧化碳激光10.6μm波长
b.常见基底：硅 10.6μm反射率大于98%
镀介质膜扫描镜
a.适用于Nd:YAG激光1064nm波长
b.常见基地：硅、光学玻璃，石英 镀高反介质模，1064nm反射率大于99.8%
c.常用单点镀膜，镀膜波段1064nm,1550nm,532nm,355nm,266nm
d.可做高功率
镀银扫描镜
a.常用于可见光波段
b.常见基底：光学玻璃，镀保护银膜反射率大于98%
物理尺寸：各个光斑尺寸略有差异
光洁度：不能太低，如果点子和划痕出现在镜片中心区域，工作时会打坏膜层或片子。
面型：镜片的表面精度会直接影像到打标的最终结果。
功率（激光损伤阈值）：镜片大小，薄厚、材质、膜系均不同。
1.晶体生长
本征公司可独立生长各类光学晶体
2.晶体切割
精雕切割工艺，产能：2万片/月
物理尺寸：卡尺、千分尺，过程每组全检，终检毛坯抽检
晶向：X射线定向仪，过程每组全检，终检毛坯抽检
3.古典抛光
抛光的目的：
(a)去掉表面的破坏层，达到规定的粗糙度。
(b)精修面形，达到图纸要求的面形。
(c)为以后的特种工艺如镀膜，胶合工序创造条件。
4.镀膜
硅单晶介绍：
硅（Si)单晶是一种化学惰性气体材料，硬度高，不溶于水。它在1-7μm波段具有很好的透光性能，同时它在远红外波段30-300μm也具有很好的透光性能，这是其它光红外材料所不具有的特点。硅单晶通常用于3-5μm中波红外光学窗口和光学滤光片的基片。由于该材料导热性能好，密度低，也是制作激光反射镜的常用材料。
硅单晶的产品根据不同的需要包括P型和N型。制备从原料配制开始，将高纯硅原料进行称重，根据需要生长的晶体类型选取适当掺杂剂按比例进行称重，混合后装入坩埚中。装好原料的坩埚放入晶体生长炉内，进行抽气，真空度达到10-3Pa，然后充入氩气，进行升温。待坩埚中晶体原料熔化后，降低籽晶对籽晶进行预热，然后略降炉温，通过调节功率寻找合适的下晶温度。找到合适的温度后进行引晶，一般会缩晶，长度6cm，然后进行放肩，达到尺寸后进入等径状态。在等径时也需要对晶体生长情况进行观察，如果出现多晶，要及时回熔。在晶体生长结束时，不能将晶体直接从熔体中提拉出来，因为这会使晶体受到较大的热冲击力，会导致晶体开裂或尾部大量缺陷。在收尾过程中要较慢收尾，形成尾锥。
生长后的晶体需要进行加工设计，然后按照设计进行定向、切割、掏棒和加工，以得到较高的利用率。最后可根据需要进行镀膜，成为光学器件。
性能要求:
1.纯度：晶体生长时所使用的原材料纯度应不低于9N（99.9999999%），所使用的掺杂剂纯度不低于5N（99.999%）。
2.结晶质量：硅单晶棒应无镶嵌、无晶界、无孪晶。
3.位错密度：位错密度应不大于100个/cm2。
4.导电类型：硅单晶的导电类型共两类：N型、P型。
5.晶向：硅单晶材料的晶向主要包含以下结晶学方向。
6.电阻率：硅单晶的电阻率分为四级
7.外观质量：硅单晶材料表面无污染、无崩边、无裂纹、无孔洞。
透过率检测
样品：单晶硅，直径不小于20 ~ 50mm，厚度10±0.5mm，通光面抛光光洁度达到80/50
测试波段：3-15um
合格要求：≥52.5%@3-5um
光学镀膜概念及原理
镀膜是用物理或化学的方法在材料表面镀上一层透明的电解质膜，或镀一层金属膜，目的是改变材料表面的反射和透射特性，达到减少或增加光的反射、分束、分色、滤光、偏振等要求。常用的镀膜法有真空镀膜(物理镀膜的一种)和化学镀膜。光学零件表面镀膜后，光在膜层层上多次反射和透射，形成多光束干涉，控制膜层的折射率和厚度，可以得到不同的强度分布，这是干涉镀膜的基本原理。
光学薄膜分类：
增透膜：硅、锗、硫化锌、硒化锌等基底较多，氟化物较为少见。
单波长、双波长、宽带
反射膜：分介质与金属反射膜，金属反射膜一般为镀金加保护层。
半反射、单波长、双波长、宽带
硬碳膜 :也叫DLC膜，一般镀在硅、锗、硫系玻璃外表面，做保护/增透作用， 产品另一侧一般要求镀增透膜。
分光膜 :有些要求特定入射角情况下，可见光波段反射，红外波段透过，多用于光谱分析中。
45度分光片、双色分束、偏振分束片&棱镜
滤光膜：宽带、窄带
激光晶体膜：YAG/YV04/KTP/LBO/BBO/LIND03
紫外膜-增透：193/248/266/308/340/355,铝反射180-400nm
红外膜：CO210.6UM/YAG2940NM/SI&GE&ZNSE&ZNS
增透膜波长选择表
标准可见光增透膜曲线
标准红外光增透膜曲线
高反射膜
金属镜(Metallic Mirror)
成本较低，反射波段较宽。
一般用于反射率要求不是特别高，但是波段很宽的应用。
因为存在部分吸收，因此限制了其在激光领域的应用。
全介质反射镜(Dielectric HR coatings )
成本较高，反射波段较窄。
反射率可以做到很高。
反射波段范围有限，如加大反射波段范围，膜层镀制难度将提高。
膜层较厚，应力较大，存在膜层脱落风险。
镀膜基片
指在什么材质上镀膜。基底往往是使用环境和用途决定。常见的镀膜基底选择？ 如气体分析保护金多用氟化钙基底，普通反射镜用浮法玻璃，激光腔镜用硅基底，红外滤光片多用硅锗，可见及近红外多是玻璃，无氧铜多是镍和金等。
氟化钙，氟化钡，氟化镁，蓝宝石，锗，硅，硫化锌，硒化锌，硫系玻璃，N-BK7,熔融石英等
镀膜材料
附着在基底上的起到透射，反射，分光等作用的材料，可能是光学材料如硫化锌、氟化镁等，也可能是金属，如铝金等。目前成熟大批量光学镀膜材料多是颗粒状或是药片状，也有整块晶体镀膜靶材；金属镀膜材料多是丝及块状；基底，用途，和镀膜指标决定用什么镀膜材料。
镀膜工序和设备
清洗设备：
超声波清洗机：指清洗和烘干一体化的，可直接装盘镀膜。同时这个机器必须在洁净空间使用；
光学镜片的超声波清洗技术
在光学冷加工中，镜片的清洗主要是指镜片抛光后残余抛光液、黏结剂、保护性材料的清洗；镜片磨边后磨边油、玻璃粉的清洗；镜片镀膜前手指印、口水以及各种附着物的清洗。
传统的清洗方法是利用擦拭材料（纱布、无尘纸）配合化学试剂（汽油、乙醇、丙酮、乙醚）采取浸泡、擦拭等手段进行手工清擦。
这种方法费时费力，清洁度差，显然不适应现代规模化的光学冷加工行业。这迫使人们寻找一种机械化的清洗手段来代替。于是超声波清洗技术逐步进入光学冷加工行业并大显身手，进一步推动了光学冷加工业的发展。
超声波清洗技术的基本原理，大致可以认为是利用超声场产生的巨大作用力，在洗涤介质的配合下，促使物质发生一系列物理、化学变化以达到清洗目的的方法。
当高于音波（28～40khz）的高频振动传给清洗介质后，液体介质在高频振动下产生近乎真空的空腔泡，空腔泡在相互间的碰撞、合并、消亡的过程中，可使液体局部瞬间产生几千大气压的压强，如此大的压强使得周围的物质发生一系列物理、化学变化。
工艺流程：
等离子增强化学气相沉积 (PECVD)：
是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。因为利用了等离子的活性来促进化学反应，PECVD可以在较低的温度下实现
等离子辅助气相沉积
目前DLC膜常用制备方法。采用射频技术（RF-PACVD）将通入的气体（丁烷、氩气）离化，在极板自偏压（负）的吸引下，带正电的粒子向基板撞击，沉积在基板表面。
